少子壽命測量儀BCT-400

Sinton BCT-400

是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。

BCT-400 設(shè)備將為光伏客戶生產(chǎn)高質(zhì)量太陽能級 單晶硅片提供有力的質(zhì)量保證手段。

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BCT-400測量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.

因?yàn)樯僮訅勖鳛楹饬可L和缺陷含量的的最敏感的技術(shù)參數(shù)，這個工具直接獲得長硅的質(zhì)量參數(shù)。

作為最易于使用的測量工具－－BLS，只需要有直徑150mm大小的平面。如果只是測量平面樣品的話，請選擇BCT-400。

產(chǎn)品簡述：

1.用途（高頻光電導(dǎo)）

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊

體形無嚴(yán)格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體

內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項(xiàng)目。

2.設(shè)備組成

2.1光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬＞60????光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1????/p>

紅外光源波長：1.06～1.09??（測量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A

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Sinton 少子壽命測量儀，BCT-400測試硅錠，BLS-I測試硅棒，Sinton X-閃光燈頭，Sinton X5D閃光燈頭，Sinton X閃光燈座。

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Sinton BCT-400少子壽命測量儀

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BCT-400測量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。

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Sinton BLS-I少子壽命測量儀

BLS-I測量系統(tǒng)用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊 體形無嚴(yán)格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體 內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項(xiàng)目。

如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源

測量參數(shù) 少子壽命、電阻率、陷阱密度

可測量的少子壽命范圍 0.1us-10ms

可測量的電阻率范圍 0.5-300ohm.cm

分析模式

準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)方法少子壽命分析

瞬態(tài)方法少子壽命分析

一般方法少子壽命分析

可施加的用于修正陷阱的偏執(zhí)光范圍 0-50suns

可以測量的樣品的表面類型

表面為平的硅塊樣品（BCT-400）

表面不平整的硅塊樣品（BLS-I）

不平整弧度的直徑可達(dá)150mm

光源光譜 白光和紅外光

感應(yīng)器的面積 45cm*45cm

可測量深度 3mm

操作簡單、靈敏度高

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BLS-I and BCT-400測量系統(tǒng)對于單晶硅或多晶硅（硅錠或硅塊）不需要進(jìn)行表面鈍化就可以進(jìn)行壽命測量。因?yàn)閴勖鼫y量是描述生長特征和污染缺陷靈敏度先進(jìn)的技術(shù)，這些工具允許你評估硅生長后的質(zhì)量。

性能優(yōu)越

非接觸方式量測真正意義上的硅塊少子壽命，符合SEMI的PV13標(biāo)準(zhǔn)；相比業(yè)界其他少子壽命測試儀BLS-I/BCT系列是性能更優(yōu)越的少子壽命測試儀。

多型號選擇

如果想要設(shè)備能夠測量多種的表面類型（150mm直徑到平滑的）請選BLS-1.如果是僅需要測量平滑表面，請選擇BCT-400.

BCT400/BLS-1應(yīng)用

廠商品質(zhì)監(jiān)控常見的測量設(shè)備，擁有廣泛客戶群

??測量壽命在1-5ms(豪秒）范圍內(nèi)的高純度硅

??測量沒有進(jìn)行特殊表面處理的原生直拉硅

??測量多晶硅塊的壽命和俘獲濃度

??探測氧化硼缺陷，鐵污染，和表面損害

??測試直拉硅，區(qū)熔硅，多晶硅或高純冶金硅的初始原料質(zhì)量