公司簡(jiǎn)介：     

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     美國(guó)QPC公司創(chuàng)立于2000年,是半導(dǎo)體激光器的領(lǐng)導(dǎo)制造商.QPC公司在美國(guó)洛杉磯建有先進(jìn)的研發(fā)和制造基地,具有從激光半導(dǎo)體外延片生長(zhǎng),封裝,測(cè)試,批量生產(chǎn)等半導(dǎo)體激光器產(chǎn)能. QPC為上市公司,并通過ISO質(zhì)量認(rèn)證. QPC的半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品已經(jīng)大量應(yīng)用于激光工業(yè),國(guó)防,醫(yī)療和科研.現(xiàn)在美國(guó)QPC公司也希望批量進(jìn)入快速發(fā)展的中國(guó)市場(chǎng).

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　　美國(guó)QPC公司推出和倡導(dǎo)第三代半導(dǎo)體激光技術(shù), QPC的核心技術(shù)包括:

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一、BrightLaseTM激光半導(dǎo)體芯片技術(shù)．

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　　　QPC有包括LD外延片生長(zhǎng),制造,封裝的全套半導(dǎo)體激光原創(chuàng)技術(shù),該技術(shù)代表了半導(dǎo)體激光新的技術(shù)水平,比如: BrightLaseTM半導(dǎo)體激光芯片在50um的單管上產(chǎn)生6.25W的激光功率,平均125mW/um.這一技術(shù)進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體激光亮度和功率密度.BrightLaseTM激光半導(dǎo)體芯片有特殊的端面設(shè)計(jì),防止損傷,確保長(zhǎng)期可靠性.

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二、BrightLockTM內(nèi)蝕光柵半導(dǎo)體激光技術(shù)．

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　　　通過同一半導(dǎo)體芯片內(nèi)蝕光柵技術(shù)(Internal Grating),LD的自然光譜帶寬從傳統(tǒng)的3-5nm消減到1-2nm.更關(guān)鍵的是LD的波長(zhǎng)溫度系數(shù)可以控制在0.07nm/C以內(nèi),而傳統(tǒng)LD的該系數(shù)為0.3nm!高亮度,窄帶寬,高波長(zhǎng)穩(wěn)定的新一代LD提高了LD甭浦技術(shù)的效率和品質(zhì)!

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三、HPSELTM半導(dǎo)體激光技術(shù)．

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　　　QPC開發(fā)的二維面發(fā)射列陣半導(dǎo)體激光芯片技術(shù),該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了單片列陣功率270W(980nm)．

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四、單模半導(dǎo)體激光技術(shù)和人眼安全半導(dǎo)體技術(shù)．

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　　QPC公司的產(chǎn)品有單管,巴條,列陣,光纖耦合等多種形式.主要產(chǎn)品系列和型號(hào)如下:

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1.BrightLase™ Ultra-500  

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  高功率光纖半導(dǎo)體激光器系列
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  功率范圍:     35-425W
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  可用波長(zhǎng)(nm): 792, 808, 976, 1470
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  光譜帶寬:      3-5nm
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  光纖芯徑:      200-800um
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2.BrightLock™ Ultra-500  內(nèi)蝕光柵光纖半導(dǎo)體激光器系列(Internal    Grating)

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功率范圍:     35-180W

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可用波長(zhǎng)(nm): 976, 1532

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光譜帶寬:      1.5nm

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光纖芯徑:      200um,400um

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3.BrightLase™ Ultra-100  光纖半導(dǎo)體激光器

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 功率范圍:      35-110W

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可用波長(zhǎng)(nm): 792, 808, 976, 1470

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光譜帶寬:        3-5nm

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光纖芯徑:      100-800um

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4.BrightLock™ Ultra-100  內(nèi)蝕光柵光纖半導(dǎo)體激光器(Internal    Grating)

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功率范圍:     35-180W

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可用波長(zhǎng)(nm): 976, 1532

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光譜帶寬:      1.5nm

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光纖芯徑:      200um,400um

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BrightLase™ Ultra-50  光纖半導(dǎo)體激光器

功率范圍:     15-35W

可用波長(zhǎng)(nm): 792, 808, 976, 1064, 1380,1470,1532

光譜帶寬:      3nm

光纖芯徑:      100-800um

6      BrightLock™ Ultra-50  內(nèi)蝕光柵光纖半導(dǎo)體激光器系列(Internal    Grating)

功率范圍:     12-25W

可用波長(zhǎng)(nm): 808, 976, 1532

光譜帶寬:      1.5nm

光纖芯徑:      200um,400um

7    BrightLock™系列微通道水冷半導(dǎo)體激光疊陣

波長(zhǎng):          1532nm,

帶寬:          +/-1nm,

功率:         180W(6    Bar), 300W(10Bar)

8    BrightLase™ 準(zhǔn)直半導(dǎo)體模塊

波長(zhǎng):          810nm,    1064nm,

功率:          25W,    30W

發(fā)散角:        10X6mrad

9   CS-Mount 半導(dǎo)體激光列陣

波長(zhǎng):          795,    808, 940, 1064, 1470,1532

功率:          20W,    25W, 40W, 50W

帶寬:          3-5nm

10  BrightLase™ 單管(Single Emitter)

波長(zhǎng):          808,    976, 1050, 1064

功率:          2.5-8W

帶寬:          3-5nm

封裝形式:     C-Mount

11  BrightLase™ 單模單管(Single    Mode  Single Frequency Single Emitter)

波長(zhǎng):          976,    1040, 1064 ,1550

功率:          1.5W

帶寬:          3-5nm

封裝形式:      C-Mount

12  BrightLase™  單模單頻單管(Single Mode    Single Frequency Single Emitter)

波長(zhǎng):          976,    1040, 1064 ,1550

功率:          1.5W

帶寬:          3-5nm

封裝形式:      C-Mount

13  BrightLase™ 單模單頻單管(Single Mode Single    Frequency Single Emitter)

波長(zhǎng):          1550nm

功率:          400mW,    2W

帶寬:          5nm

封裝形式: 光纖耦合輸出

14  BrightLock™  單管(Single Emitter with    Internal Grating)

波長(zhǎng):          785,808

功率:          750mW,    2.5W

帶寬:          1nm

封裝形式:     C-Mount

15  BrightLock™  DBF單模單管(DFB Single    Emitter )

波長(zhǎng):          976nm

功率:          150mW

帶寬:          1nm

封裝形式:      C-Mount