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有效直徑 | 50um |
帶寬 | 2000MHz |
暗電流 | 25/<50 nA |
增益 | 10 |
探測直徑 | 50um |
響應(yīng) | >7.9/8.9 A/W @1300 nm, >8.1/9.4 A/W@1550 nm |
溫度系數(shù) | 0.20 V/°C |
波長范圍 | 1100-1700nm |
擊穿電壓 | 60V |
峰值波長靈敏度 | 1550nm |
光敏直徑 | 80um |
電容 | 0.6/<0.8 pF |
封裝 | TO-18 |
VOP范圍 | 40-90V |
產(chǎn)品簡介
InGaAs雪崩光電二極管可以實現(xiàn)從1100nm到1700nm的高量子效率探測,并且在該波段內(nèi)可以保持高增益、高量子效率和高帶寬,光敏面尺寸可高達200μm。窗口和光敏面之間距離較短以便于連接光學(xué)系統(tǒng)。
產(chǎn)品特性
■ InGaAs的APD為80μm
■ TO-18的封裝
■ 光譜響應(yīng)1100nm-1700nm
■ 低噪聲和黑暗電流
■ 高增益
■ 高量子效率
■ 2.5GHz帶寬
應(yīng)用領(lǐng)域:
■ 激光測距
■ 視頻掃描成像儀
■ 光通訊
■ 自由空間通訊
■ 分光光度計