有效直徑	3mm
有效面積	7mm2
封裝形式	TO-8
發(fā)散角α1	132°
發(fā)散角α2	150°
擊穿電壓	400V
溫度系數(shù)	2.4V/°C
增益	75
響應度@900nm	45A/W
響應度@1060nm	25A/W
響應度@1150nm	3.5A/W
量子效率@900nm	85%
量子效率@1060nm	40%
量子效率@1150nm	5%
暗電流	100nA
噪聲電流	0.8pA/Hz
電容	10pF
串聯(lián)電阻	15?(Max)
上升/下降時間	2ns
反向偏置電流	200uA(Max)
光電流密度	5mA/mm2
正向電流	5mA
存儲溫度	-60℃ to +100℃
工作溫度	-40℃ to +70℃

產(chǎn)品簡介

C30956H增強型Si雪崩光電二極管采用的是雙擴散的“reach-though”結構。這種光電二極管的特點是其在長波(>900nm)波段響應增強。這些雪崩光電二極管在1060nm的量子效率高達40 %，同時，該二極管保持了低噪聲、低電容及上升和下降時間迅速的特征。為了簡化設計，這些雪崩光電二極管也用于生產(chǎn)高性能帶前置放大器模塊的C30659 系列，而且還可用于前置放大器加溫度致冷器合并模塊LLAM 系列。

 

產(chǎn)品特性

■ 1060 nm波長高量子效率

■ 快速響應時間

■ 寬的工作溫度范圍

■ 低電容

■ 密封包裝

■ RoHS 適應

 

應用范圍

■ 測距

■ 激光雷達

■ YAG 激光探測