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WCT-120PL產(chǎn)品分別采用標準QSSPC方法和光致發(fā)光法測量硅片的載流子壽命。 瞬態(tài)光電導(dǎo)衰減法(PCD)和熒光方法兩種互為補充。操作和使用起來和WCT120一樣方便。
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wct-120pl系統(tǒng)能力
r r主要應(yīng)用:
r r通過使用QSSPC或短暫的壽命測量和PL測量制造過程監(jiān)控和優(yōu)化步驟。
r r其它功能:
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??初始材料(硅片)質(zhì)量監(jiān)控
r r??(硅片)加工過程中的重金屬污染晶圓檢測
r r??評價表面鈍化和發(fā)射極的摻雜劑擴散
r r??使用隱含的VOC測量來查找生產(chǎn)過程引入的漏電因素
r r??迭代計算qsspl和QSSPC數(shù)據(jù)得到襯底摻雜情況
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r r上圖是wct-120pl得到的一個校準的熒光壽命曲線與一個校準的QSSPC壽命曲線產(chǎn)生壽命數(shù)據(jù)的載流子密度對照曲線。
r r更多內(nèi)容請見附件文件
r rWCT-120PL晶片壽命測量工具采用的是與WCT-120一樣獨特的測量與分析技術(shù),同時增加了光致發(fā)光(PL)檢測器用來測量樣品的PL壽命及摻雜情況。該系統(tǒng)采用的是準穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)壽命測量方法及瞬態(tài)光電導(dǎo)衰退(PCD)壽命測量方法,同時還補充采用了校準后的PL壽命測量方法。該工具還可以作為標準的WCT-120使用。
WCT-120PL 系統(tǒng)功能
主要應(yīng)用:采用QSSPC或者瞬態(tài)壽命測量及PL測量逐步監(jiān)控并優(yōu)化制造過程。
其它應(yīng)用:
l 監(jiān)控初步的材料質(zhì)量
l 檢測晶片加工過程中的重金屬污染
l 評價表面鈍化及發(fā)射器摻雜擴散
l 利用隱含的Voc測量評價過程所誘發(fā)的分流
l 從QSSPL及QSSPC數(shù)據(jù)迭代式地計算所有基質(zhì)的摻雜情況
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