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德國BATOP公司是一家專門生長半導體可飽和吸收體等半導體光電器件的公司： SESAM半導體可飽和吸收鏡 - Semiconductor Saturable absorber mirror, RSAM共振可飽和吸收鏡 - Resonant Saturable absorber mirror，SOC可飽和吸收耦合輸出鏡 - Saturable output coupler)，SLD超發(fā)光二極管 - Super luminescent diodes. 其中SESAM，RSAM和 SOC 是用于穩(wěn)定、自啟動的DPSS被動鎖模激光器較簡單的鎖模元件。




裸片	附在銅柱上	附在光纖端

1. SESAM半導體可飽和吸收鏡

型號描述：SAM-800-1-X
800-1—中心波長為800nm，飽和吸收率為1%，所有可選波長及飽和吸收率如下：

800（-1，-4），（R > 99% @750-850nm），
850（-2，-4，-10，-12），（R > 99% @810-860nm），
940（-4，-6），（R > 99% @910-990nm），
980（-2，-7，-11，-18），（R > 99% @910-990nm 或者960-1040nm），
1040（-1，-2，-3，-4，-5，-6，-10），（R > 99% @1020-1110nm），
1064（-1，-2，-3，-4，-5，-6，-8，-10，-13），（R > 99% @1020-1110nm），
1510（-6，-11），（R > 99% @1470-1570nm），
1550（-1，-2，-3，-8，-10，-30，-50），（R > 99% @1500-1570nm）。

X ——封裝代碼

X=0，無封裝的裸片
X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選

2. RSAM共振可飽和吸收鏡

型號描述：RSAM-1064-27-X
1064-27—中心波長為1064nm，飽和吸收率為27%，所有可選波長及飽和吸收率如下：

1064（-27，-47，-80），（R > 99% @1050-1070nm）。

X ——封裝代碼

X=0，無封裝的裸片
X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選
X=FC/PC with TEC，安裝在1米長光纖一端，且?guī)EC冷卻器

3. SOC可飽和吸收耦合輸出鏡

型號描述：SOC-980-2-X
980-2—中心波長為980nm，飽和吸收率為2%，所有可選波長及飽和吸收率如下：

980（-2，-4），（R > 99% @960-1020nm），
1064（-2，-4），（R > 99% @1040-1100nm）。

X ——封裝代碼

X=0，無封裝的裸片
X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選

4. SANOS可飽和體噪聲去除腔



Free space SANOS (FS-SANOS)



Fibre coupled SANOS (FC-SANOS)

SANOS可飽和體噪聲去除腔的工作原來是利用可飽和吸收體對弱的噪聲光有很小的反射率，多強的輸出光具有很大的反射率，這樣光通過SANOS可飽和體噪聲去除腔后就能起到噪聲去除的作用。可用于再生放大和脈沖選擇以后的噪聲光去除。

型號	中心波長	反射系數(shù)	損耗	噪聲去除率
	nm	%	d B	d B
FS-SANOS-1064-1	1064	>99	3	14
FS-SANOS-1064-2	1064	>99	6	20
FC-SANOS-15XX	1530-1560	50%		97%
FC-SANOS-15XX-TEC	1530-1561	50%		97%