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DWL66+激光光刻系統是一個經濟的，高分辨率模式發(fā)生器為低容量掩模制造和直寫。這個系統的靈活性和功能讓最終的光刻研究工具用于微電子機械系統，生物微機電，微光學，專用集成電路，微流體，傳感器，計算機全息技術，還有其他的微型機構的應用。用DWL66+的客戶在世界范圍內包含了超過150個領先的大學和研究設備處。這個系統的很多功能一直在與這些機構進行密切的合作開發(fā)。
重要特征選項
最大基板尺寸9”x 9”
最小描繪尺寸0.6um
最小描繪網格10nm
先進的灰度曝光模式
實時的自動對焦系統
客戶特定激光源
矢量和柵格曝光模式
可交換的寫模式
攝像系統計量和校準
前后面對齊
人工氣候室
多種數據輸入格式
用戶編程接口
技術參數
寫入模式 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
地址網格（nm） | 10 | 20 | 25 | 50 | 100 | 200 |
最小結構大小（um） | 0.6 | 0.8 | 1 | 2 | 4 | 7 |
寫速度（mm^2/min） | 6 | 25 | 39 | 145 | 500 | 1000 |
邊緣粗糙度（3σ，nm） | 50 | 70 | 80 | 110 | 160 | 240 |
線寬均勻度（3σ，nm） | 60 | 80 | 100 | 180 | 250 | 500 |
線條測量精度（3σ，nm） | 100 | 120 | 150 | 250 | 400 | 800 |
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