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 | 接觸電阻率和薄層電阻 TLM-SCAN+接觸電阻率和薄層電阻 TLM-SCAN+ 前金屬化的接觸電阻是對絲網(wǎng)印刷太陽能電池的總串聯(lián)電阻的重要貢獻。 具有合適測試結構的轉(zhuǎn)移長度方法是將接觸電阻與其他串聯(lián)電阻效應分開的最佳方法。 然而，接觸電阻可以在太陽能電池上顯著變化，因此需要在成品太陽能電池上以空間分辨率測量它的方法。 TLM-SCAN產(chǎn)生太陽能電池的接觸電阻率的映射，該太陽能電池用激光或切割鋸切割成條紋。 |
 | 少子壽命測試儀 WCT-120測試硅片美國Sinton WCT-120少子壽命測試儀采用了準穩(wěn)定態(tài)光電導(QSSPC)測量方法和分析技術。可靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應、表面復合效應等缺陷情況。WCT在效率大于20%的超高效太陽能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過程中是一種被廣泛選用的檢測工具。這種QSSPC測量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個類似光照IV曲線的開壓曲線，可以結合最后的IV曲線對電池制作過程進行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化等工作。 |
 | 少子壽命測量儀 BCT-400測試硅錠少子壽命測量儀BCT-400測試硅錠BCT-400 BCT-400測量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命. 因為少子壽命作為衡量生長和缺陷含量的的最敏感的技術參數(shù)，這個工具直接獲得長硅的質(zhì)量參數(shù)。 |
 | WAFER PROFILER CVP21WAFER PROFILER CVP21\r \r The Wafer Profiler CVP21 is a handy tool to measure doping profiles in semiconductor layers by Electrochemical Capacitance Voltage Profiling (ECV-Profiling, CV-Profiling) in semiconductor research or production.\r This ECV Profi |
 | 四探針 四點探針 四探針測試儀 四探針太陽能硅片電阻率測試儀 四探針 四點探針 四探針測試儀 四探針太陽能硅片電阻率測試儀四探針 四點探針 四探針測試儀 四探針太陽能硅片電阻率測試儀 四探針 四點探針 四探針測試儀 四探針太陽能硅片電阻率測試儀 查看大圖 四探針 四點探針 四探針測試儀 四探針太陽能硅片電阻率測試儀 這款緊湊型儀器在所有軸上均可自動化，可在不到4分鐘內(nèi)創(chuàng)建100點的薄層電阻和晶圓電阻率映射。 在點擊地圖后將探頭導航到所需位置后，可以重新測量單點。 |
 | LIS-R2-PlusLIS-R2-Plus |
 | 光伏適用電化學ECV 摻雜濃度檢測 電化學CV分布儀（CV測試儀）電化學CV剖面分析儀 電化學CV載流子濃度光伏使用電化學ECV 摻雜濃度檢測 電化學CV分布儀（CV測試儀）電化學CV剖面分析儀 電化學CV載流子濃度 |
| | PL成像檢測系統(tǒng)（光致發(fā)光成像檢測系統(tǒng)）澳大利亞BT Imaging公司 R3&R2-Plus PL成像檢測系統(tǒng)（光致發(fā)光成像檢測系統(tǒng)） |
 | FPS-300閃光電源The FPS-300 is a new flash power supply designed to replace the Quantum power supply stack and flash\r head. |
 | 少子壽命測量儀BLS-測試硅棒少子壽命測量儀BLS-I 用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊\r \r 體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體\r \r 內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。 |
 | suns-Voc測試儀suns-Voc測試儀:利用Suns-Voc進行漿料與燒結技術優(yōu)化，主要測試IV曲線 |
 | FMT_CCT這個電池測量系統(tǒng)具有很高精確度，用來測量高效率太陽電池。它用一個專利的頻閃技術實現(xiàn)。 |
 | SBS-150 少子壽命SBS-150 少子壽命 測量生長塊的是獲得最終晶圓少子壽命的最好辦法.SBS-150體硅少子壽命分析儀對硅錠生長方向上的少子壽命變化特別敏感，能否準確預測切割出的硅片的質(zhì)量和缺陷狀態(tài)。 |
 | WCT-IL800快速在線監(jiān)測。實現(xiàn)了準確監(jiān)控少子壽命，方塊電阻和缺陷密度的情況。 |
 | WCT-120PL熒光少子壽命測試儀分別采用瞬態(tài)光電導和熒光方法測量硅片到太陽能電池半成品或者成品電池的少子壽命 |
 | WCT-120TS變溫少子壽命測試儀分別采用QSSPC方法和變溫法得出硅片的少子壽命測試儀 |
| | 微波反射光電導衰退法少子壽命分析儀微波反射光電導衰退法少子壽命分析儀 |