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 | 接觸電阻率和薄層電阻 TLM-SCAN+接觸電阻率和薄層電阻 TLM-SCAN+ 前金屬化的接觸電阻是對(duì)絲網(wǎng)印刷太陽能電池的總串聯(lián)電阻的重要貢獻(xiàn)。 具有合適測(cè)試結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移長度方法是將接觸電阻與其他串聯(lián)電阻效應(yīng)分開的最佳方法。 然而，接觸電阻可以在太陽能電池上顯著變化，因此需要在成品太陽能電池上以空間分辨率測(cè)量它的方法。 TLM-SCAN產(chǎn)生太陽能電池的接觸電阻率的映射，該太陽能電池用激光或切割鋸切割成條紋。 |
 | 少子壽命測(cè)試儀 WCT-120測(cè)試硅片美國Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀采用了準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測(cè)量方法和分析技術(shù)?？伸`敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng)、表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT在效率大于20%的超高效太陽能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過程中是一種被廣泛選用的檢測(cè)工具。這種QSSPC測(cè)量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個(gè)類似光照IV曲線的開壓曲線，可以結(jié)合最后的IV曲線對(duì)電池制作過程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化等工作。 |
 | WAFER PROFILER CVP21WAFER PROFILER CVP21\r \r The Wafer Profiler CVP21 is a handy tool to measure doping profiles in semiconductor layers by Electrochemical Capacitance Voltage Profiling (ECV-Profiling, CV-Profiling) in semiconductor research or production.\r This ECV Profi |
 | LIS-R2-PlusLIS-R2-Plus |
 | 光伏適用電化學(xué)ECV 摻雜濃度檢測(cè) 電化學(xué)CV分布儀（CV測(cè)試儀）電化學(xué)CV剖面分析儀 電化學(xué)CV載流子濃度光伏使用電化學(xué)ECV 摻雜濃度檢測(cè) 電化學(xué)CV分布儀（CV測(cè)試儀）電化學(xué)CV剖面分析儀 電化學(xué)CV載流子濃度 |
| | PL成像檢測(cè)系統(tǒng)（光致發(fā)光成像檢測(cè)系統(tǒng)）澳大利亞BT Imaging公司 R3&R2-Plus PL成像檢測(cè)系統(tǒng)（光致發(fā)光成像檢測(cè)系統(tǒng)） |
 | FPS-300閃光電源The FPS-300 is a new flash power supply designed to replace the Quantum power supply stack and flash\r head. |
 | 少子壽命測(cè)量儀BLS-測(cè)試硅棒少子壽命測(cè)量儀BLS-I 用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊\r \r 體形無嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體\r \r 內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。 |
 | suns-Voc測(cè)試儀suns-Voc測(cè)試儀:利用Suns-Voc進(jìn)行漿料與燒結(jié)技術(shù)優(yōu)化，主要測(cè)試IV曲線 |
 | FMT_CCT這個(gè)電池測(cè)量系統(tǒng)具有很高精確度，用來測(cè)量高效率太陽電池。它用一個(gè)專利的頻閃技術(shù)實(shí)現(xiàn)。 |
 | SBS-150 少子壽命SBS-150 少子壽命 測(cè)量生長塊的是獲得最終晶圓少子壽命的最好辦法.SBS-150體硅少子壽命分析儀對(duì)硅錠生長方向上的少子壽命變化特別敏感，能否準(zhǔn)確預(yù)測(cè)切割出的硅片的質(zhì)量和缺陷狀態(tài)。 |
 | WCT-IL800快速在線監(jiān)測(cè)。實(shí)現(xiàn)了準(zhǔn)確監(jiān)控少子壽命，方塊電阻和缺陷密度的情況。 |
 | WCT-120PL熒光少子壽命測(cè)試儀分別采用瞬態(tài)光電導(dǎo)和熒光方法測(cè)量硅片到太陽能電池半成品或者成品電池的少子壽命 |
 | WCT-120TS變溫少子壽命測(cè)試儀分別采用QSSPC方法和變溫法得出硅片的少子壽命測(cè)試儀 |
| | 微波反射光電導(dǎo)衰退法少子壽命分析儀微波反射光電導(dǎo)衰退法少子壽命分析儀 |
 | 少子壽命測(cè)量儀 BCT-400測(cè)試硅錠少子壽命測(cè)量儀BCT-400測(cè)試硅錠BCT-400 BCT-400測(cè)量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測(cè)量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命. 因?yàn)樯僮訅勖鳛楹饬可L和缺陷含量的的最敏感的技術(shù)參數(shù)，這個(gè)工具直接獲得長硅的質(zhì)量參數(shù)。 |
 | 四探針 四點(diǎn)探針 四探針測(cè)試儀 四探針太陽能硅片電阻率測(cè)試儀 四探針 四點(diǎn)探針 四探針測(cè)試儀 四探針太陽能硅片電阻率測(cè)試儀四探針 四點(diǎn)探針 四探針測(cè)試儀 四探針太陽能硅片電阻率測(cè)試儀 四探針 四點(diǎn)探針 四探針測(cè)試儀 四探針太陽能硅片電阻率測(cè)試儀 查看大圖 四探針 四點(diǎn)探針 四探針測(cè)試儀 四探針太陽能硅片電阻率測(cè)試儀 這款緊湊型儀器在所有軸上均可自動(dòng)化，可在不到4分鐘內(nèi)創(chuàng)建100點(diǎn)的薄層電阻和晶圓電阻率映射。 在點(diǎn)擊地圖后將探頭導(dǎo)航到所需位置后，可以重新測(cè)量單點(diǎn)。 |